BSC046N02KSGAUMA1 Prezos (USD) [161384unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSC046N02KSGAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Ventaxa competitiva:
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BSC046N02KSGAUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC046N02KSGAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A (Ta), 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 110µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4100pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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