Número de peza :
IPD50N04S308ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Estado da parte :
Not For New Designs
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 40µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2350pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63