Vishay Siliconix - SI7119DN-T1-E3

KEY Part #: K6416862

SI7119DN-T1-E3 Prezos (USD) [196638unidades de stock]

  • 1 pcs$0.18810
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Número de peza:
SI7119DN-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7119DN-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI7119DN-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 666pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8

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