TSM110NB04CR RLG Prezos (USD) [343072unidades de stock]
- 1 pcs$0.10781
- Número de peza:
- TSM110NB04CR RLG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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TSM110NB04CR RLG Atributos do produto
Número de peza :
TSM110NB04CR RLG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta), 54A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1443pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PDFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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