Número de peza :
IXFA4N100Q
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1050pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (IXFA)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB