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- Número de peza:
- IPI024N06N3GHKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPI024N06N3GHKSA1 electronic components. IPI024N06N3GHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI024N06N3GHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI024N06N3GHKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI024N06N3GHKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 196µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
275nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
23000pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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