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- Número de peza:
- FQPF19N20CYDTU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF19N20CYDTU electronic components. FQPF19N20CYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF19N20CYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF19N20CYDTU Atributos do produto
Número de peza :
FQPF19N20CYDTU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1080pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
43W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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