IPN50R650CEATMA1 Prezos (USD) [301457unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPN50R650CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
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IPN50R650CEATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPN50R650CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
Serie :
CoolMOS™ CE
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
342pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
5W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223
Paquete / Estuche :
SOT-223-3
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