IXYS - IXTY4N65X2

KEY Part #: K6394600

IXTY4N65X2 Prezos (USD) [62346unidades de stock]

  • 1 pcs$0.69331
  • 50 pcs$0.68986

Número de peza:
IXTY4N65X2
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXTY4N65X2 electronic components. IXTY4N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY4N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY4N65X2 Atributos do produto

Número de peza : IXTY4N65X2
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 455pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 80W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63