DMN21D2UFB-7B Prezos (USD) [1089357unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN21D2UFB-7B
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN21D2UFB-7B Atributos do produto
Número de peza :
DMN21D2UFB-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
760mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.93nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
27.6pF @ 16V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
380mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Estuche :
3-UFDFN
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