Número de peza :
PHT6NQ10T,135
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
633pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-73
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA