IPD60N10S4L12ATMA1 Prezos (USD) [173756unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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IPD60N10S4L12ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 46µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3170pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3-313
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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