Número de peza :
IPI120N06S4H1AKSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH TO262-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
270nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
21900pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA