Número de peza :
IPN80R1K4P7ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
250pF @ 500V
Disipación de potencia (máx.) :
7W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223
Paquete / Estuche :
TO-261-3