Número de peza :
SSM6H19NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.2nC @ 4.2V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
130pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-UDFN (2x2)
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad