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- Número de peza:
- HAT2131R-EL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 8SO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E electronic components. HAT2131R-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2131R-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2131R-EL-E Atributos do produto
Número de peza :
HAT2131R-EL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 8SO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
350V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
900mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
460pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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