Vishay Siliconix - SI2305CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6421498

SI2305CDS-T1-GE3 Prezos (USD) [651126unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05681
  • 3,000 pcs$0.05384

Número de peza:
SI2305CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 electronic components. SI2305CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2305CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2305CDS-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI2305CDS-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 960pF @ 4V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3