Vishay Siliconix - SI1424EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421517

SI1424EDH-T1-GE3 Prezos (USD) [697660unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05302
  • 3,000 pcs$0.05025

Número de peza:
SI1424EDH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI1424EDH-T1-GE3 electronic components. SI1424EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1424EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1424EDH-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI1424EDH-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-363
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363