IRLHS6342TRPBF Prezos (USD) [394804unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRLHS6342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLHS6342TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLHS6342TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1019pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-PQFN (2x2)
Paquete / Estuche :
6-PowerVDFN
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