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- Número de peza:
- NTMSD3P102R2
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMSD3P102R2 electronic components. NTMSD3P102R2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMSD3P102R2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMSD3P102R2 Atributos do produto
Número de peza :
NTMSD3P102R2
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.34A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
750pF @ 16V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
730mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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