IRF6892STRPBF Prezos (USD) [123862unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF6892STRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 25V 28A S3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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IRF6892STRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6892STRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N CH 25V 28A S3
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
28A (Ta), 125A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2510pF @ 13V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ S3C
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric S3C
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