IRF6775MTRPBF Prezos (USD) [99089unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF6775MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF6775MTRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6775MTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1411pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MZ
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