Renesas Electronics America - NP80N055NDG-S18-AY

KEY Part #: K6405669

[1586unidades de stock]


    Número de peza:
    NP80N055NDG-S18-AY
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP80N055NDG-S18-AY Atributos do produto

    Número de peza : NP80N055NDG-S18-AY
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrición : MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.9 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 135nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 6900pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.8W (Ta), 115W (Tc)
    Temperatura de operación : 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-262
    Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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