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- Número de peza:
- TPC6008-H(TE85L,FM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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TPC6008-H(TE85L,FM Atributos do produto
Número de peza :
TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Serie :
U-MOSVI-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.8nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
300pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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