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- Número de peza:
- TPC6009-H(TE85L,FM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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TPC6009-H(TE85L,FM Atributos do produto
Número de peza :
TPC6009-H(TE85L,FM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
Serie :
U-MOSVI-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
81 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
290pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3