RCD100N19TL Prezos (USD) [202426unidades de stock]
- 1 pcs$0.20200
- 2,500 pcs$0.20099
- Número de peza:
- RCD100N19TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 190V 10A CPT3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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RCD100N19TL Atributos do produto
Número de peza :
RCD100N19TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
190V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
CPT3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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