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- Número de peza:
- IRFH5220TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFH5220TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH5220TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1380pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-VQFN Exposed Pad
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