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- Número de peza:
- NTHS5402T1
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHS5402T1 electronic components. NTHS5402T1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS5402T1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHS5402T1 Atributos do produto
Número de peza :
NTHS5402T1
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
ChipFET™
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
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