IPI110N20N3GAKSA1 Prezos (USD) [21210unidades de stock]
- 1 pcs$1.94311
- 500 pcs$1.90919
- Número de peza:
- IPI110N20N3GAKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPI110N20N3GAKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI110N20N3GAKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
88A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7100pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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