ON Semiconductor - FDZ209N

KEY Part #: K6413487

[13083unidades de stock]


    Número de peza:
    FDZ209N
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDZ209N electronic components. FDZ209N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDZ209N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDZ209N Atributos do produto

    Número de peza : FDZ209N
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
    Serie : PowerTrench®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 9nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 657pF @ 30V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 12-BGA (2x2.5)
    Paquete / Estuche : 12-WFBGA

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