[800unidades de stock]
- Número de peza:
- FQA10N80_F109
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FQA10N80_F109 Atributos do produto
Número de peza :
FQA10N80_F109
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
240W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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