NXP USA Inc. - BUK9E2R3-40E,127

KEY Part #: K6400036

[3537unidades de stock]


    Número de peza:
    BUK9E2R3-40E,127
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E2R3-40E,127 Atributos do produto

    Número de peza : BUK9E2R3-40E,127
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
    Serie : TrenchMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 87.8nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±10V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 13160pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 293W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK
    Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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