Número de peza :
VP2206N3-G
Fabricante :
Microchip Technology
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
640mA (Tj)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 10mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
450pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
740mW (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-92-3
Paquete / Estuche :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)