Número de peza :
C3M0065100K
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
660pF @ 600V
Disipación de potencia (máx.) :
113.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-4L
Paquete / Estuche :
TO-247-4