IXYS - IXFN120N20

KEY Part #: K6398080

IXFN120N20 Prezos (USD) [3275unidades de stock]

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  • 100 pcs$10.96812
  • 250 pcs$10.06569

Número de peza:
IXFN120N20
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN120N20 Atributos do produto

Número de peza : IXFN120N20
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 9100pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 600W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-227B
Paquete / Estuche : SOT-227-4, miniBLOC

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