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- Número de peza:
- STB16NM50N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB16NM50N electronic components. STB16NM50N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB16NM50N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB16NM50N Atributos do produto
Número de peza :
STB16NM50N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Serie :
MDmesh™ II
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1200pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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