E3M0065090D Prezos (USD) [7741unidades de stock]
- 1 pcs$5.32366
- Número de peza:
- E3M0065090D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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E3M0065090D Atributos do produto
Número de peza :
E3M0065090D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M
Serie :
Automotive, AEC-Q101, E
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30.4nC @ 15V
Vgs (máximo) :
+18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
660pF @ 600V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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