Número de peza :
PHM30NQ10T,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
37.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3600pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HVSON (6x5)
Paquete / Estuche :
8-VDFN Exposed Pad