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- Número de peza:
- IPD122N10N3GBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1 electronic components. IPD122N10N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD122N10N3GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD122N10N3GBTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD122N10N3GBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
59A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 46µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2500pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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