NXP USA Inc. - BSN254,126

KEY Part #: K6400308

[3442unidades de stock]


    Número de peza:
    BSN254,126
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. BSN254,126 electronic components. BSN254,126 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSN254,126, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSN254,126 Atributos do produto

    Número de peza : BSN254,126
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 250V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 310mA (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 300mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 120pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-92-3
    Paquete / Estuche : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)