RSS100N03FU6TB Prezos (USD) [1225unidades de stock]
- 2,500 pcs$0.24667
- Número de peza:
- RSS100N03FU6TB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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RSS100N03FU6TB Atributos do produto
Número de peza :
RSS100N03FU6TB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs (máximo) :
20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1070pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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