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- Número de peza:
- SI3853DV-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3853DV-T1-E3 electronic components. SI3853DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3853DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3853DV-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI3853DV-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
500mV @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
830mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-TSOP
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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