C2M0280120D Prezos (USD) [16406unidades de stock]
- 1 pcs$2.51199
- Número de peza:
- C2M0280120D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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C2M0280120D Atributos do produto
Número de peza :
C2M0280120D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Serie :
Z-FET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1.25mA (Typ)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20.4nC @ 20V
Vgs (máximo) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
259pF @ 1000V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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