Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K318R,LF

KEY Part #: K6421560

SSM3K318R,LF Prezos (USD) [809708unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05050
  • 3,000 pcs$0.05025

Número de peza:
SSM3K318R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF electronic components. SSM3K318R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K318R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K318R,LF Atributos do produto

Número de peza : SSM3K318R,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Serie : U-MOSIV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 235pF @ 30V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23F
Paquete / Estuche : SOT-23-3 Flat Leads