Nexperia USA Inc. - PSMN1R2-25YLDX

KEY Part #: K6420155

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Número de peza:
PSMN1R2-25YLDX
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R2-25YLDX Atributos do produto

Número de peza : PSMN1R2-25YLDX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 60.3nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4327pF @ 12V
Función FET : Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.) : 172W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Estuche : SC-100, SOT-669

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