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- Número de peza:
- APTM120DA68T1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 15A SP1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA68T1G electronic components. APTM120DA68T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA68T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM120DA68T1G Atributos do produto
Número de peza :
APTM120DA68T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
816 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6696pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
357W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP1
Paquete / Estuche :
SP1
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