SQJ431AEP-T1_GE3 Prezos (USD) [117505unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CHAN 200V.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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SQJ431AEP-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CHAN 200V
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
305 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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