Número de peza :
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
124nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6290pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK+
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63