TJ60S04M3L(T6L1,NQ Prezos (USD) [117194unidades de stock]
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- Número de peza:
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ Atributos do produto
Número de peza :
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
Serie :
U-MOSVI
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
125nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6510pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK+
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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