Vishay Siliconix - SI5920DC-T1-GE3

KEY Part #: K6524082

[3950unidades de stock]


    Número de peza:
    SI5920DC-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 electronic components. SI5920DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5920DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5920DC-T1-GE3 Atributos do produto

    Número de peza : SI5920DC-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Función FET : Logic Level Gate
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 8V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 5V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 680pF @ 4V
    Potencia: máx : 3.12W
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : 8-SMD, Flat Lead
    Paquete de dispositivos de provedores : 1206-8 ChipFET™

    Tamén pode estar interesado